Samsung İlklere İmza Attı, Rakiplerini Geçti

Son dönemlerde tedarikçiler arasındaki reakebet iyice arttı. TSMC'nin atılımları, Intel'in yeni planları derken Samsung cephesi biraz daha sessiz kalmıştı. ETNews'in raporuna göre Samsung dünyada bir ilk olarak 10 nm FinFET süreci ile S-RAM geliştirdi. Intel ve TSMC ise şu anda 14 ve 16 nm sürecini kullanıyor. 10 nm ile ortaya çıkan S-RAM "Giga" olarak adlandırılan akıllı telefon neslinin kapısını açabilir.

S-RAM, D-RAM'e göre daha hızlı. 10 nm süreci ile geliştirilmiş olması da seri üretime geçiş için hazır olduğunu ortaya koyuyor. Eğer bu eğilim devam ederse 10 nm'lik mobil uygulama işlemcileri 2017 başında gelebilir. En azından tahminler bu şekilde.

10 nm FinFET sonucu ortaya çıkan S-RAM, 128 MB kapasiteye ve 0.040 µm2 hücre alanına sahip. 14 nm'lik S-RAM'e (0.064 µm2) göre %37.5 daha küçük. Küçük alanla birlikte performans artıyor. Uygulama işlemcisi yani yongasetinde de alan küçülünce, performans daha yukarılara çekilebilir.

Samsung, S-RAM dışında 14 nm'lik NAND flaş birimi de geliştirdi. Bu da sektörde şimdiye kadar bir ilk olarak gösteriliyor. Şirketin Toshiba, Micron gibi rakipleri 15-16 nm üstüne geliştirmeler yapıyor. 14 nm NAND flaş 128 GB kapasiteye sahip ve bir MLC (Çoklu) ürünü (Multi-level cell). Hücre başına 2 bit kaydedebiliyor. Bu yeni depolama birimi ile birlikte gelecekteki akıllı telefonlar tahmin edilenden daha hızlı olabilir. Samsung durdu dur ve bir anda elindekileri ortaya çıkardı. Bu yeni teknolojilerin neler yapacağını ise ancak ilerleyen zamanda öğreneceğiz.